Silicon đơn tinh thể: Tăng trưởng và thuộc tính
Nguyên tắc tăng trưởng đơn tinh thể bằng (a) phương pháp vùng nổi và (b) Phương pháp Czochralski. (Sau [13.1]) Người ta ước tính rằng khoảng 95%của tất cả silicon đơn tinh thể được sản xuất theo phương pháp CZ và phần còn lại chủ yếu bằng phương pháp FZ.
Đọc thêm